1x~3000000x Microscópio óptico de varredura digital de cinco eixos Motorizado A63.7081
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Destacar
6x que faz a varredura do microscópio ótico
,linha central cinco que faz a varredura do microscópio ótico
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ResoluçãoArma de elétrons Schottky
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Ampliação1x~3000000x
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Arma de elétronArma de elétrons de emissão Schottky
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Tensão de aceleração0~30KV
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Diâmetro máximo da amostra320mm
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Sistema de vácuoBomba de íons, bomba turbo molecular, bomba de rotação, Getter Pum
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Lugar de origemChina
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MarcaOPTO-EDU
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CertificaçãoCE, Rohs
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Número do modeloA63.7081
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Documento
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Quantidade de ordem mínima1 pc
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PreçoFOB $1~1000, Depend on Order Quantity
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Detalhes da embalagemEmbalagem da caixa, para o transporte da exportação
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Tempo de entrega5 ~ 20 dias
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Termos de pagamentoT/T, West Union, PayPal
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Habilidade da fontemês de 5000 PCes
1x~3000000x Microscópio óptico de varredura digital de cinco eixos Motorizado A63.7081
| A63.7080, A63.7081 Função principal do software | ||
| Instalação integrada de alta tensão | Filamento automático ligado / desligado | Regulação de turnos potenciais |
| Ajuste de brilho | Ajuste elétrico para central | Brilho automático |
| Ajuste de contraste | Ajuste da lente | Foco automático |
| Ajuste de ampliação | Desgaussagem objectiva | Eliminação automática do astigmatismo |
| Modo de varredura da área selecionada | Ajuste elétrico da rotação | Gestão dos parâmetros do microscópio |
| Modo de varredura pontual | Ajuste do deslocamento do feixe de elétrons | Exibição em tempo real do tamanho do campo de digitalização |
| Modo de digitalização de linha | Ajuste da inclinação do feixe de elétrons | Ajuste da lente da arma |
| Análise de superfície | Ajuste da velocidade de digitalização | Entrada multicanal |
| Monitorização da potência de alta tensão | Centrais de balanço | Medição da régua |
| SEM | A63.7069 A63.7069-L A63.7069-LV |
A63.7080 A63.7080-L |
A63.7081 |
| Resolução | 3nm@30KV ((SE) 6nm@30KV ((BSE) |
1.5nm@30KV ((SE) 3nm@30KV ((BSE) |
1.0nm@30KV(SE) 3.0nm@1KV(SE) 2.5nm@30KV ((BSE) |
| Magnificação | 1x~450000x,Magnificação verdadeira negativa | 1x~600000x, Magnificação verdadeira negativa | 1x~3000000x Magnificação verdadeira negativa |
| Arma de elétrons | Cartucho de filamento de tungstênio pré-centrado | Pistola de emissões de campo Schottky | Pistola de emissões de campo Schottky |
| Voltagem | Tensão de aceleração 0.2- Não.30 kV, ajustável contínuo, passo de ajuste 100V@0-10Kv, 1KV@10-30Kv | ||
| Visualização rápida | Função de visualização rápida de imagem de uma chave | N/A | N/A |
| Sistema de lentes | Lente de três níveis com lentes cónicas eletromagnéticas | Lentes de múltiplos níveis com forma cónica eletromagnética | |
| Apertura | 3 Aperturas de objetos de molibdênio, ajustáveis fora do sistema de vácuo, sem necessidade de desmontar o objetivo para mudar a abertura | ||
| Sistema de vácuo | 1 Bomba Turbo Molecular 1 Bomba mecânica Vazio da sala de colheita> 2,6 E-3 Pa Espaço de vácuo da arma de elétrons> 2,6E-3Pa Controle de vácuo totalmente automático Função de bloqueio a vácuo Modelo opcional: A63.7069-LV 1 Bomba Turbo Molecular 2Bombas mecânicas Vazio da sala de colheita> 2,6 E-3 Pa Espaço de vácuo da arma de elétrons> 2,6E-3Pa Controle de vácuo totalmente automático Função de bloqueio a vácuo Vazio baixoIntervalo 10 ~ 270Pa para comutação rápida em 90 segundos para BSE ((LV) |
1 Conjunto de bombas iónicas 1 Bomba Turbo Molecular 1 Bomba mecânica Vazio da sala de colheita> 6E-4Pa Espaço de vácuo da arma de elétrons> 2E-7 Pa Controle de vácuo totalmente automático Função de bloqueio a vácuo |
1 Bomba de íons de pulverização 1 Bomba de compostos iônicos Getter 1 Bomba Turbo Molecular 1 Bomba mecânica Vazio da sala de colheita> 6E-4Pa Espaço de vácuo da arma de elétrons> 2E-7 Pa Controle de vácuo totalmente automático Função de bloqueio a vácuo |
| Detector | SE: Detector secundário de elétrons de vácuo elevado (com proteção do detector) | SE: Detector secundário de elétrons de vácuo elevado (com proteção do detector) | SE: Detector secundário de elétrons de vácuo elevado (com proteção do detector) |
| BSE: Segmentação de semicondutores 4 Detector de dispersão de retorno |
Opcional | Opcional | |
| Modelo opcional: A63.7069-LV BSE ((LV): Semicondutores 4 Segmentação Detector de dispersão de retorno |
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| CCD:Câmara CCD infravermelha | CCD:Câmara CCD infravermelha | CCD:Câmara CCD infravermelha | |
| Extensão da porta | 2 Estender portas no espaço de amostragem EDS, BSD, WDS, etc. |
4 Extender portas no espaço de amostragem para BSE, EDS, BSD, WDS, etc. |
4 Extender portas no espaço de amostragem para BSE, EDS, BSD, WDS, etc. |
| Fase de colheita de espécimes | 5 eixos Fase, 4Auto+ 1ManualControle Período de viagem: X = 70 mm, Y = 50 mm, Z = 45 mm, R=360°, T=-5°~+90° ((Manual) Toque na função de alerta e parada Modelo opcional: A63.7069-L5 eixos Auto Large Stage |
5 EixosAuto MédioEstágio Período de viagem: X=80mm, Y=50mm, Z=30mm, R=360°, T=-5°~+70° Toque na função de alerta e parada Modelo opcional: A63.7080-L5 EixosAuto GrandesEstágio |
5 EixosAuto GrandesEstágio Período de viagem: X=150mm, Y=150mm, Z=60mm, R=360°, T=-5°~+70° Toque na função de alerta e parada |
| Exemplar máximo | Dia. 175mm, altura 35mm | Dia. 175 mm, altura 20 mm | Dia.340 mm, altura 50 mm |
| Sistema de imagem | Imagem estática real com resolução máxima de 4096x4096 pixels. Formato de ficheiro de imagem: BMP ((Default), GIF, JPG, PNG, TIF |
Imagem Imóvel Real Resolução máxima 16384x16384 pixels, Formato de ficheiro de imagem: TIF ((Default), BMP, GIF, JPG, PNG Vídeo: Auto Registro Digital. AVI Vídeo |
Imagem Imóvel Real Resolução máxima 16384x16384 pixels, Formato de ficheiro de imagem: TIF ((Default), BMP, GIF, JPG, PNG Vídeo: Auto Registro Digital. AVI Vídeo |
| Computador e Software | PC Work Station Win 10 System, com software de análise de imagem profissional para controlar totalmente toda a operação do microscópio SEM, especificação do computador não inferior a Inter I5 3.2GHz, memória 4G,Monitor LCD IPS de 24", 500G Hard Disk, Mouse, teclado | ||
| Exibição de fotos | O nível de imagem é rico e meticuloso, mostrando ampliação em tempo real, régua, tensão, curva cinzenta | ||
| Dimensão & Peso |
Corpo do microscópio 800x800x1850mm Tabela de trabalho 1340x850x740mm Peso total 400 kg |
Corpo do microscópio 800x800x1480mm Tabela de trabalho 1340x850x740mm Peso total 450 kg |
Corpo do microscópio 1000x1000x1730 mm Tabela de trabalho 1330x850x740mm Peso total 550 kg |
| Acessórios opcionais | |||
| Acessórios opcionais | A50.7002Espectrômetro de raios-X dispersivo de energia EDS A50.7011Revestimento por pulverização de íons |
A50.7001Detector de elétrons de espalhamento de volta da EEB A50.7002Espectrômetro de raios-X dispersivo de energia EDS A50.7011Revestimento por pulverização de íons A50.7030Painel de controlo motorizado |
A50.7001Detector de elétrons de espalhamento de volta da EEB A50.7002Espectrômetro de raios-X dispersivo de energia EDS A50.7011Revestimento por pulverização de íons A50.7030Painel de controlo motorizado |
| A50.7001 | Detector de EEB | Detector de retrodispersão de quatro segmentos de semicondutores; Disponível nos ingredientes A+B, Informações morfológicas A-B; Observação de amostras disponíveis sem pulverizar ouro; Disponível em Impuridade Observada e Distribuição a partir do mapa de escala de cinzas diretamente. |
| A50.7002 | EDS (Detector de Raios X) | Fonte de nitreto de silício (Si3N4) para otimizar a transmissão de raios-X de baixa energia para análise de elementos leves; Excelente resolução e sua eletrônica avançada de baixo ruído proporcionam um desempenho de transferência excepcional; A pequena pegada oferece flexibilidade para garantir a geometria ideal e as condições de recolha do AATA; Os detectores contêm um chip de 30 mm2. |
| A50.7003 | EBSD (difração de feixe de elétrons de retrodispersão) | O utilizador pode analisar a orientação cristalina, a fase cristalina e a micro textura dos materiais e o desempenho dos materiais relacionados, etc. Optimização automática das configurações da câmara EBSD durante a recolha de dados, fazer análises interativas em tempo real para obter o máximo de informações Todos os dados foram marcados com uma etiqueta de tempo, que pode ser visualizada a qualquer momento alta resolução 1392 x 1040 x 12 Velocidade de digitalização e índice: 198 pontos/seg, com Ni como padrão, sob a condição de 2~5nA, pode garantir a taxa de índice ≥99%; Funciona bem sob a condição de baixa corrente de feixe e baixa tensão de 5kV a 100pA Precisão de medição da orientação: Melhor que 0,1 graus Usando sistema de índice triplex: não é necessário depender da definição de banda única, fácil indexação de má qualidade de padrão Base de dados dedicada: Base de dados especial do EBSD obtida por difração de elétrons: > 400 estruturas de fase Capacidade de indexação: pode indexar automaticamente todos os materiais cristalinos de 7 sistemas cristalinos. As opções avançadas incluem o cálculo da rigidez elástica (Elastic Stiffness), factor Taylor (Taylor), factor Schmidt (Schmid) e assim por diante. |
| A50.7010 | Máquina de revestimento | Concha de vidro protetora: ¥250 mm; 340 mm de altura; Câmara de processamento de vidro: 88mm; 140mm Alto; 88mm; 57mm Alto; Dimensão do estágio da amostra: 40 mm (máximo); Sistema de vácuo: bomba molecular e bomba mecânica; Detecção de vácuo: Pirani Gage; Vazio:melhor do que 2 x 10-3 Pa; Protecção contra vácuo:20 Pa com válvula de inflação em microscala; Movimento do espécime: rotação do plano, precessão da inclinação. |
| A50.7011 | Revestimento por pulverização de íons | Câmara de processamento de vidro: ¥100 mm; 130 mm de altura; Dimensão do estágio da amostra: 40 mm (contém 6 copos de amostra); Ouro de alvo Tamanho: 58mm * 0,12mm (espessura); Detecção de vácuo: Pirani Gage; Protecção contra vácuo:20 Pa com válvula de inflação em microscala; Gás Médio:Argão ou Ar com entrada de ar especial de gás de argão e regulação de gás em microescala. |
| A50.7012 | Revestimento de pulverização de íons de argão | A amostra foi revestida com carbono e ouro sob alto vácuo; Tabela de amostragem giratória, revestimento uniforme, tamanho de partícula cerca de 3-5 nm; Sem selecção do material alvo, sem danos às amostras; As funções de limpeza de íons e diluição de íons podem ser realizadas. |
| A50.7013 | Secador de ponto crítico | Diâmetro interno: 82 mm, comprimento interno: 82 mm; Intervalo de pressão: 0 a 2000 psi; Intervalo de temperatura: 0°-50° C (32°-122° F) |
| A50.7014 | Litografia por feixe de elétrons | Com base no microscópio eletrônico de varredura, foi desenvolvido um novo sistema de nanoexposição; A modificação manteve todas as funções sem para fazer imagem de largura de linha em nanoescala; O sistema Ebl modificado é amplamente aplicado em dispositivos microeletrônicos, dispositivos optoeletrônicos, dispositivos quânticos, P&D de sistemas microeletrônicos. |
| A63.7080, A63.7081 Equipamento de consumíveis padrão | |||
| 1 | Filamento de emissão de campo | Instalados em microscópio | 1 Pc |
| 2 | Copo de amostra | Diâmetro 13 mm | 3 peças |
| 3 | Copo de amostra | Dia.32mm | 5 Pcs |
| 4 | Tela condutora de carbono de dupla face | 6 mm | 1 Pc |
| 5 | Graxa de vácuo | 50 g (não será fornecido se for enviado por via aérea) | 1 Pc |
| 6 | Tecido sem pelos | 10pcs | |
| 7 | Pasta de polir | (Não será fornecido se for enviado por via aérea) | 1 Pc |
| 8 | Caixa de amostras | 1 Pc | |
| 9 | Swab de algodão | 100 pcs/saco | 2 sacos |
| 10 | Filtro de névoa de óleo | 1 Pc | |
| A63.7080, A63.7081 Ferramentas e peças normais | |||
| 1 | Fecho de hexágono interno | 1.5 mm~10 mm | 1 conjunto |
| 2 | Pinças | Comprimento 100-120 mm | 1 Pc |
| 3 | Parafusador com ranhuras | 2 × 50 mm, 2 × 125 mm | 2 peças |
| 4 | Torná-vite cruzado | 2*125 mm | 1 Pc |
| 5 | Tubo de ventilação limpo | Dia.10/6.5mm ((Diâmetro exterior/Diâmetro interno) | 5m |
| 6 | Valva de redução de pressão de ventilação | Pressão de saída 0-0,6 MPa | 1 Pc |
| 7 | Fornecimento de energia de cozimento interno | 0-3A CC | 2 peças |
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